BJT Part2: Base width modulation, High Level Injection, Breakdown, Circuit Models | 2026 L13
BJT Partie 2 : Modulation de la largeur de base, Injection à haut niveau, Claquage, Modèles de circuit | 2026 L13
★
★
★
★
☆
4/5
陽明交大電子吳添立 | 半導體教學 | WLab
@wlab4650
Advanced CMOS Scaling: FinFET to GAA and CFET | 2026 L14
Mise à l'échelle CMOS avancée : du FinFET au GAA et au CFET | 2026 L14
★
★
★
★
☆
4/5
BJT Part1: NPN Operation, Minority Carrier Distribution & What Controls Current Gain | 2026 L12
BJT Partie 1 : Fonctionnement NPN, Distribution des Porteurs Minoritaires et Ce Qui Contrôle le Gain de Courant | 2026 L12
★
★
★
★
☆
4/5
MOSFET Part 2: Basic Operations and Key Advanced Concepts| 2026 L11
MOSFET Partie 2: Opérations de base et concepts avancés clés| 2026 L11
★
★
★
★
☆
4/5
MOSFET Part 1: Band Diagrams, Threshold Voltage, C–V | 2026 L10
MOSFET Partie 1: Diagrammes de bandes, tension de seuil, C–V | 2026 L10
★
★
★
★
☆
4/5
Diode Current, Contacts & the Road to MOSFET: PN Current, Ohmic vs Schottky & MOS Capacitor | 2026L9
Courant de diode, contacts et la route vers le MOSFET : courant PN, ohmique vs Schottky et condensateur MOS | 2026L9
★
★
★
★
☆
4/5
PN Junction : Built-In Potential, Depletion Width, Reverse Bias, Breakdown, Diode Current | 2026L8
Jonction PN : Potentiel intégré, largeur de la zone de déplétion, polarisation inverse, claquage, courant de diode | 2026L8
★
★
★
★
☆
4/5
Excess Carriers, Recombination, PN Junction: From Ambipolar Transport to Interface Trapping | 2026L7
Porteurs en excès, recombinaison, jonction PN : du transport ambipolaire au piégeage à l'interface | 2026L7
★
★
★
★
☆
4/5
How Electrons & Holes Move: Drift, Diffusion, Scattering & Excess Carrier Dynamics | 2026 L6
Comment les électrons et les trous se déplacent : dérive, diffusion, diffusion et dynamique des porteurs en excès | 2026 L6
★
★
★
★
☆
4/5
Carrier Concentration, Intrinsic vs Extrinsic Semiconductors & Fermi Level Explained | 2026 L5
Concentration de porteurs, semi-conducteurs intrinsèques vs extrinsèques et niveau de Fermi expliqués | 2026 L5
★
★
★
★
☆
4/5
From Quantum Tunneling to Energy Bands: Schrödinger Equation, Band & Fermi-Dirac Statistics| 2026 L4
De l'effet tunnel quantique aux bandes d'énergie : équation de Schrödinger, bandes et statistique de Fermi-Dirac | 2026 L4
★
★
★
★
☆
4/5
From Crystal to Quantum Tunneling: Why We Need Quantum Mechanics for Modern Transistors | 2026 L3
Du cristal à l'effet tunnel quantique : pourquoi nous avons besoin de la mécanique quantique pour les transistors modernes | 2026 L3
★
★
★
★
☆
4/5
From FinFET to CFET: Semiconductor Roadmap, Materials & Device Junctions | 2026 L2
De FinFET à CFET : Feuille de route des semi-conducteurs, matériaux et jonctions de dispositifs | 2026 L2
★
★
★
★
☆
4/5
Semiconductor From Transistors to Trillions: Course Intro, MOSFETs, Moore's Law | 2026 L1
Semi-conducteur : des transistors aux milliards : Introduction du cours, MOSFETs, loi de Moore | 2026 L1
★
★
★
★
☆
4/5
2025 L13: Electrostatic discharge (ESD) (2)
2025 L13 : Décharge électrostatique (DES) (2)
★
★
★
★
☆
4/5
2025 L12: Electrostatic discharge (ESD) (1)
2025 L12: Décharge électrostatique (ESD) (1)
★
★
★
★
☆
4/5
2025 L11: Mass Transport Induced Failures (2)
2025 L11 : Défaillances induites par le transport de masse (2)
★
★
★
★
☆
4/5
2025 L10: Mass Transport Induced Failures (1)
2025 C10 : Défaillances induites par le transport de masse (1)
★
★
★
★
☆
4/5
2025 L9: Time dependent dielectric breakdown (2)
2025 L9: Claquage diélectrique dépendant du temps (2)
★
★
★
★
☆
4/5
2025 L8: Interface charges and Bias Temperature Instability (2)/Time dependent dielectric breakdown
2025 L8: Charges d'interface et instabilité de température de polarisation (2)/Claquage diélectrique dépendant du temps
★
★
★
★
☆
4/5
2025 L7: Interface charges and Bias Temperature Instability (1)
2025 L7: Charges d'interface et instabilité de température de polarisation (1)
★
★
★
★
☆
4/5
2025 L6: Mathematics of Failure-and-Reliability(2)
2025 L6: Mathématiques de la défaillance et de la fiabilité (2)
★
★
★
★
☆
4/5
2025 L5: Defects, Contaminants, Yields (2)/Mathematics of Failure-and-Reliability(1)
2025 L5: Défauts, Contaminants, Rendements (2)/Mathématiques de la défaillance et de la fiabilité (1)
★
★
★
★
☆
4/5
![[2025 short course] 5-3: SiC MOSFETs Interface Challenges/PBTI/HTRB/Switching](https://i.ytimg.com/vi/fFHK9CpO614/maxresdefault.jpg)
[2025 short course] 5-3: SiC MOSFETs Interface Challenges/PBTI/HTRB/Switching
[Cours abrégé 2025] 5-3 : Défis d'interface des MOSFET SiC/PBTI/HTRB/Commutation
★
★
★
★
☆
4/5
2025 L4: Electronic Devices: How They Operate and Are Fabricated/Defects, Contaminants, Yields(1)
2025 L4 : Dispositifs électroniques : comment ils fonctionnent et sont fabriqués/Défauts, contaminants, rendements(1)
★
★
★
★
☆
4/5
![[2025 short course] 5-2: GaN BTI/TDDB/Switching/CGD/CGS & SiC TDDB](https://i.ytimg.com/vi/guedXDV6Ye8/maxresdefault.jpg)
[2025 short course] 5-2: GaN BTI/TDDB/Switching/CGD/CGS & SiC TDDB
[Cours court 2025] 5-2 : GaN BTI/TDDB/Switching/CGD/CGS & SiC TDDB
★
★
★
★
☆
4/5
2025 L3: An Overview of Electronic Devices and Their Reliability (2)
2025 L3: Un aperçu des dispositifs électroniques et de leur fiabilité (2)
★
★
★
★
☆
4/5
2025 L2: Introduction (2) /An Overview of Electronic Devices and Their Reliability (1)
2025 L2: Introduction (2) /Un aperçu des dispositifs électroniques et de leur fiabilité (1)
★
★
★
★
☆
4/5
![[2025 short course] 5-1: Wide bandgap GaN & SiC/ GaN OFF-state reliability](https://i.ytimg.com/vi/kvbVoPBfCtQ/maxresdefault.jpg)
[2025 short course] 5-1: Wide bandgap GaN & SiC/ GaN OFF-state reliability
[2025 cours court] 5-1 : Fiabilité à l'état bloqué du GaN et SiC/ GaN à large bande interdite
★
★
★
★
☆
4/5
2025 L1: Introduction_半導體元件可靠度及其失效物理 Reliability and Failure Physics of Semiconductor Devices
2025 L1: Introduction_半導體元件可靠度及其失效物理 Fiabilité et physique des défaillances des dispositifs à semi-conducteurs
★
★
★
★
☆
4/5
![[2025 short course] 4-2: Hot Carrier Injection/ Charge Detection/ Bias Temperature Instability](https://i.ytimg.com/vi/yWt--ll3TV0/maxresdefault.jpg)
[2025 short course] 4-2: Hot Carrier Injection/ Charge Detection/ Bias Temperature Instability
[2025 short course] 4-2 : Injection de porteurs chauds / Détection de charge / Instabilité de température de polarisation
★
★
★
★
☆
4/5